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IRF7910PBF-1_15	文件：201.2 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：201.2 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7910PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	12V 双 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

VDS max：
12.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
15.0mΩ
RDS (on)(@2.7V) max：
50.0mΩ
Polarity ：
N+N
ID (@ TA=70°C) max：
7.9A
ID (@ TA=25°C) max：
10.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.0W
QG ：
17.0nC
RthJA max：
62.5K/W
Moisture Sensitivity Level ：
1
VGS max：
12.0V
Qgd(typ) ：
5.2nC
Tj max：
150.0°C

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更多IRF7910供应商更新时间2025-10-7 14:00:00

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