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IRF7831UPBF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF7831TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    SO8

  • VDS max:

    30 V

  • RDS (on) @10V max:

    3.6 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    4.4 mΩ

  • ID @25°C max:

    21 A

  • QG typ @4.5V:

    40 nC

  • Polarity:

    N

  • VGS(th) min:

    1.35 V

  • VGS(th) max:

    2.35 V

  • VGS(th):

    1.85 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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更多IRF7831供应商 更新时间2025-10-5 16:36:00