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IRF7831	文件：171.61 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications • High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. Benefits • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Ultra-Low Gate Impedance • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current 文件：171.61 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7831	文件：300 bytes Page：1 Pages	采用 SO-8 封装的 30V 单 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 具有业内先进的品质\n• 低RDS(ON) @ 4.5V VGS\n• 经过充分验证的雪崩电压和电流\n• 超低的栅极阻抗;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7831PBF	文件：264.62 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET ( VDSS = 30V , RDS(on)max = 3.6m廓@VGS = 10V , Qg(typ.) = 40nC ) Applications • High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. Benefits • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Ultra-Low Gate Impedance • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • 100 Tested for RG • Lead-Fr 文件：264.62 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7831PBF	文件：275.62 Kbytes Page：10 Pages	High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Applications • High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. Benefits • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Ultra-Low Gate Impedance • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • 100 Tested for RG • Lead-Fr 文件：275.62 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7831TRPBF	文件：275.62 Kbytes Page：10 Pages	High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter Applications • High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. Benefits • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Ultra-Low Gate Impedance • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • 100 Tested for RG • Lead-Fr 文件：275.62 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7831UPBF	文件：250.74 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Applications • High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. Benefits • Very Low RDS(on) at 4.5V VGS • Ultra-Low Gate Impedance • Fully Characterized Avalanche Voltage and Current • 100 Tested for RG • Lead-Fr 文件：250.74 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7831PBF	文件：270.16 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-Low Gate Impedance 文件：270.16 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7831PBF_15	文件：270.16 Kbytes Page：10 Pages	Ultra-Low Gate Impedance 文件：270.16 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7831TRPBF	文件：1.03816 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 文件：1.03816 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7831PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	30V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7831TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
30 V
RDS (on) @10V max：
3.6 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
4.4 mΩ
ID @25°C max：
21 A
QG typ @4.5V：
40 nC
Polarity：
N
VGS(th) min：
1.35 V
VGS(th) max：
2.35 V
VGS(th)：
1.85 V
Technology：
IR MOSFET™

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