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IRF7805Z	文件：270.03 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Benefits ● Very Low RDS(on) at 4.5V VGS ● Ultra-Low Gate Impedance ● Fully Characterized Avalanche Voltage and Current ● 100 Tested for RG Applications ● High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems. 文件：270.03 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7805Z	文件：2.29919 Mbytes Page：6 Pages	N-Channel Enhancement MOSFET ■ Features ● VDS (V) = 30V ● ID = 16 A (VGS = 10V) ● RDS(ON) 文件：2.29919 Mbytes 页数：6 Pages	KEXIN 科信电子	KEXIN
IRF7805PBF	文件：230.9 Kbytes Page：5 Pages	N Channel Application Specific MOSFETs 文件：230.9 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
IRF7805PBF_15	文件：230.9 Kbytes Page：5 Pages	N Channel Application Specific MOSFETs 文件：230.9 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
IRF7805PBF-1	文件：195.03 Kbytes Page：6 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：195.03 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7805PBF-1_15	文件：195.03 Kbytes Page：6 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：195.03 Kbytes 页数：6 Pages	IRF	IRF
IRF7805QPBF	文件：232.59 Kbytes Page：5 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：232.59 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
IRF7805QPBF_08	文件：217.46 Kbytes Page：5 Pages	Advanced Process TechnologyUltra Low On-Resistance 文件：217.46 Kbytes 页数：5 Pages	IRF	IRF
IRF7805ZGPBF	文件：294.49 Kbytes Page：10 Pages	HEXFETPower MOSFET 文件：294.49 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7805ZGTRPBF	文件：275.78 Kbytes Page：10 Pages	High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck Converter for Applications in Networking & Computing Systems 文件：275.78 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
30.0V
RDS (on)(@4.5V) max：
11.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
10.0A
ID (@ TA=25°C) max：
13.0A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
22.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
VGS max：
12.0V
Moisture Sensitivity Level ：
1
Qgd ：
8.6nC
Tj max：
150.0°C

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