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IRF7478PBF_15	文件：133.78 Kbytes Page：8 Pages	High frequency DC-DC converters 文件：133.78 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7478PBF-1	文件：203.44 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：203.44 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7478PBF-1_15	文件：203.44 Kbytes Page：8 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：203.44 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF7478TRPBF	文件：1.88222 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：1.88222 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7478PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7478QPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	Advanced Process Technology	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Package ：
SO-8
VDS max：
60.0V
RDS (on)(@10V) max：
26.0mΩ
RDS (on) max：
26.0mΩ
RDS (on)(@4.5V) max：
30.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TA=70°C) max：
6.1A
ID (@ TA=25°C) max：
7.6A
Ptot(@ TA=25°C) max：
2.5W
QG ：
21.0nC
RthJA max：
50.0K/W
Mounting ：
SMD
Moisture Sensitivity Level ：
1
Tj max：
150.0°C
VGS max：
20.0V
Qgd ：
9.6nC

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更多IRF7478供应商更新时间2025-10-6 13:00:00

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