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IRF7473PBF-1

文件：300 bytes

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100V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

\n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ， 无卤素\n• 符合MSL1，工业认证;

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN：

    IRF7473TRPBF

  • Qualification：

    Non-Automotive

  • Package name：

    SO8

  • VDS max：

    100 V

  • RDS (on) @10V max：

    26 mΩ

  • ID @25°C max：

    6.9 A

  • QG typ @10V：

    61 nC

  • Polarity：

    N

  • VGS(th) min：

    3.5 V

  • VGS(th) max：

    5.5 V

  • VGS(th)：

    4.5 V

  • Technology：

    IR MOSFET™

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