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IRF7406PBF	文件：240.98 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology 文件：240.98 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7406PBF_15	文件：240.98 Kbytes Page：9 Pages	ULTAR LOW ON RESISTANCE 文件：240.98 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7406PBF-1	文件：237.17 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：237.17 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7406PBF-1_15	文件：237.17 Kbytes Page：10 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：237.17 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7406TRPBF	文件：240.98 Kbytes Page：9 Pages	Generation V Technology 文件：240.98 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7406PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	-30V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7406TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
-30 V
RDS (on) @10V max：
45 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
70 mΩ
ID @25°C max：
-5.8 A
QG typ @10V：
39.3 nC
Polarity：
P
VGS(th) min：
-1 V
Technology：
IR MOSFET™

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