IRF7343中文资料采用 SO-8 封装的 55V 双 N 通道和 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IRF7343规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 低 RDS(on)
• 动态的dv/dt额定值
• 快速开关
• 双 N 通道和 P 通道 MOSFET
技术参数
- 制造商编号
：IRF7343
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF7343TRPBF
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：SO8
- VDS max
：55 V
- RDS (on) @10V max
：50 mΩ/105 mΩ
- RDS (on) @4.5V max
：65 mΩ/170 mΩ
- ID @25°C max
：4.7 A/-3.4 A
- QG typ @10V
：24 nC/26 nC
- Polarity
：N+P
- VGS(th) min
：-1 V/1 V
- Technology
：IR MOSFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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