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IRF7309PBF

GENERATION V TECHNOLOGY

文件:2.065389 Mbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF7309PBF_15

GENERATION V TECHNOLOGY

文件:2.065389 Mbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF7309PBF-1

Industry-standard pinout SO-8 Package

文件:306.35 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF7309PBF-1_15

Industry-standard pinout SO-8 Package

文件:306.35 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF7309QPBF

HEXFET Power MOSFET

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IRF

IRF7309TRPBF

GENERATION V TECHNOLOGY

文件:2.10532 Mbytes 页数:11 Pages

IRF

IRF7309PBF-1

30V 单个 N 通道和 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 SO-8 封装

Infineon

英飞凌

IRF7309QPBF

HEXFET Power MOSFET

Infineon

英飞凌

技术参数

  • OPN:

    IRF7309TRPBF

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    SO8

  • VDS max:

    30 V

  • RDS (on) @10V max:

    50 mΩ/100 mΩ

  • RDS (on) @4.5V max:

    80 mΩ/160 mΩ

  • ID @25°C max:

    4 A/-3 A

  • QG typ @4.5V:

    16.7 nC/16.7 nC

  • Polarity:

    N+P

  • VGS(th) min:

    -1 V/1 V

  • Technology:

    IR MOSFET™

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更多IRF7309供应商 更新时间2025-10-12 13:00:00