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IRF7103PBF-1_15	文件：281.42 Kbytes Page：9 Pages	Industry-standard pinout SO-8 Package 文件：281.42 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF7103QPBF	文件：263.47 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET HEXFET짰 Power MOSFET 文件：263.47 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7103QTRPBF	文件：259.93 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰 Power MOSFET 文件：259.93 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF7103TRPBF	文件：1.2215 Mbytes Page：9 Pages	Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET 文件：1.2215 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
IRF7103PBF-1	文件：300 bytes Page：1 Pages	50V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET，采用 SO-8 封装 \n优势:\n• 工业标准引出线 SO-8 封装\n• 与现有表面封装技术兼容\n• 符合 RoHS ，无卤素\n• 符合MSL1，工业认证;	Infineon 英飞凌	Infineon
IRF7103Q	文件：300 bytes Page：1 Pages	Power MOSFET(Vdss=50V)	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF7103TRPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
SO8
VDS max：
50 V
RDS (on) @10V max：
130 mΩ
RDS (on) @4.5V max：
200 mΩ
ID @25°C max：
3 A
QG typ @4.5V：
12 nC
Polarity：
N+N/N+N
VGS(th) min：
1 V
VGS(th) max：
3 V
VGS(th)：
2 V
Technology：
IR MOSFET™

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