IRF6898M中文资料25V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET 和肖特基二极管, 采用 DirectFET MX封装，在低导通电阻下进行了优化，额定电流为35A。数据手册Infineon规格书
IRF6898M规格书详情
特性 Features
优势:
• 符合 RoHS
• 100% 经过接地电阻测试
• 纤薄外形（小于0.7毫米）
• 双面冷却
• 低通态损耗
• 针对高频开关进行了优化
• 低封装电感
• 集成单片肖特基二极管
应用 Application
• MultiPhase SyncFET
技术参数
- 制造商编号
：IRF6898M
- 生产厂家
：Infineon
- Package
：DirectFET MX
- VDS max
：25.0V
- RDS (on) max
：1.1mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：1.1mΩ
- RDS (on)(@4.5V) max
：1.6mΩ
- Polarity
：N with Schottky
- ID (@ TA=70°C) max
：28.0A
- ID (@ TA=25°C) max
：35.0A
- ID (@ TC=25°C) max
：213.0A
- Ptot(@ TA=25°C) max
：2.1W
- Ptot max
：78.0W
- QG
：35.0nC
- Mounting
：SMD
- Qgd
：10.0nC
- Tj max
：150.0°C
- Moisture Sensitivity Level
：1
- RthJC max
：1.6K/W
- VGS max
：16.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3149 |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
MGWDSON5 |
7350 |
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询价 | ||
IR |
2016+ |
DIRECTFET |
2500 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
DIRECTFET |
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明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
MG-WDSON-5 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
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DIRECTFET |
3147 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
IRECTFETM |
8000 |
原装，正品 |
询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
DirectFET MX |
32568 |
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询价 | ||
IR |
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SMD |
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询价 | ||
IR |
24+ |
IRECTFETM |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 |
