首页>IRF640PBF>规格书详情

IRF640PBF数据手册ThinkiSemi中文资料规格书

PDF无图
厂商型号

IRF640PBF

功能描述

18A,200V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

制造商

ThinkiSemi Thinki Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

思祁半导体 思祁半导体有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-9 8:41:00

人工找货

IRF640PBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

  • 型号:

    IRF640PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VIS
21+
TO-220
10000
原装现货假一罚十
询价
VISHAY/威世
2223+
TO220
26800
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险
询价
VISHAY/威世
22+
TO-220-3
62504
18万条库存 一站式配齐
询价
VISHAY/威世
24+
TO-220-
3800
大批量供应优势库存热卖
询价
VISHAY
17+
TO-220
6200
100%原装正品现货
询价
VISHAY
18+
TO220
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价
VISHAY
25+
38390
全新原装现货库存
询价
Vishay(威世)
24+
N/A
11800
可配单提供样品
询价
VISHAY/威世
21+
TO220
1709
询价
Vishay
2022+
原厂原包装
6800
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销
询价