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IRF640PBF中文资料18A,200V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET数据手册ThinkiSemi规格书

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厂商型号

IRF640PBF

功能描述

18A,200V Heatsink N-Channel Type Power MOSFET

制造商

ThinkiSemi Thinki Semiconductor Co., Ltd.

中文名称

思祁半导体 上海思祁半导体有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:42:00

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技术参数

  • 型号:

    IRF640PBF

  • 功能描述:

    MOSFET N-Chan 200V 18 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
24+
TO-220
15473
保证进口原装现货假一赔十
询价
VISHAY
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
询价
IR/VISHAY
23+
TO-220
5000
原装正品,假一罚十
询价
Vishay(威世)
23+
NA
20094
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持
询价
VISHAY
2021
TO-220
5000
全新原装公司现货
询价
IR
22+
TO220
18000
原装正品
询价
VISHAY/威世
24+
T0220
24000
只做原装进口现货
询价
VISHAY/威世
24+
TO-220
5000
原装现货假一罚百
询价
VISHAY(威世)
24+
TO-220
7828
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
询价
VISHAY
18+
TO220
85600
保证进口原装可开17%增值税发票
询价