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IRF640NS	文件：1.19709 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethroughouttheindustry. TheD2Pakisasurfac	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NSPBF	文件：300.8 Kbytes Page：12 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NSPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NSPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NSPBF	文件：8.24278 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnologyDynamicdv/dtRating175OperatingTemperature Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF640NSRPBF	文件：248.99 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640NSTRLPBF	文件：341.59 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF640PBF	文件：1.70972 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF640PBF	文件：1.00255 Mbytes Page：6 Pages	18A,200VHeatsinkN-ChannelTypePowerMOSFET	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司	THINKISEMI
IRF640PBF	文件：6.75207 Mbytes Page：7 Pages	PowerMOSFETDynamicdV/dtRatingRepetitiveAvalancheRatedFastSwitching DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipation	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

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详细参数

型号：
IRF640FP
功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 18 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IRF640FP供应商更新时间2025-7-23 16:19:00

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