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IRFS634	文件：270.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS634	文件：318.52 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5.5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.45Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS634A	文件：344.44 Kbytes Page：6 Pages	AdvancedPowerMOSEFT	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFS634A	文件：59.01 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS634B	文件：859.54 Kbytes Page：10 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS634B	文件：896.45 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFS634B	文件：265.23 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFW634B	文件：649.97 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
L634	文件：469.74 Kbytes Page：10 Pages	THREEPHASEMOTORDRIVER DESCRIPTION TheL6234isatriplehalfbridgetodriveabrushlessmotor. ItisrealizedinMultipowerBCDtechnologywhichcombinesisolatedDMOSpowertransistorswithCMOSandBipolarcircuitsonthesamechip. Byusingmixedtechnologyithasbeenpossibletooptimizethelogiccircuitryan	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
L634	文件：585.91 Kbytes Page：4 Pages	PowerModules •LowProfile •7DifferentCircuitstoChoosefrom •DesignedforPrintedCircuitBoardConnections	crydom Crydom Inc.,	crydom

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详细参数

型号：
IRF634A
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Advanced Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市莱克讯科技有限公司	IRF634A	FSC	1923+	TO-220	6896	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
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更多IRF634A供应商更新时间2025-7-25 14:07:00

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