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IRF634S	文件：176.51 Kbytes Page：9 Pages	AvailableinTapeandReel DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheD2PAKisasurfacemountpowerpackagecapableofaccommodatingdiesizeuptoHEX-4.Itprovidestheh	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRF634S	文件：218.32 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •Surface-mount •Availableintapeandreel •Dynamicdv/dtrating •Repetitiveavalancherated •Fastswitching •Easeofparalleling •Simpledriverequirements •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 Note *Thisdatashee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI634	文件：649.97 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI634B	文件：649.97 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstan	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFI634G	文件：297.18 Kbytes Page：6 Pages	POWERMOSFET Through-HolePackags TO-220FullPak(FullyIsolated)	IRF International Rectifier	IRF
IRFI634G	文件：1.11891 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI634G	文件：1.38223 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI634GPBF	文件：1.11891 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidethedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcost-effectiveness. TheTO-220FULLPAKeliminatestheneedforadditionalinsulatinghardwareincommercial-industrialappl	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFI634GPBF	文件：1.38223 Mbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFS634	文件：886.82 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNELMOSFETinaTO-220FPlasticPackage	FOSHANFoshan Blue Rocket Electronics Co.,Ltd. 蓝箭电子佛山市蓝箭电子股份有限公司	FOSHAN

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详细参数

型号：
IRF634A
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
Advanced Power MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市星佑电子有限公司	IRF634A	ir	06+	TO-220	5000	全新原装绝对有货	询价
深圳市昌和盛利电子有限公司	IRF634A	IR	23+	TO-220	9526		询价
深圳市博浩通科技有限公司	IRF634A	FAIRCHILD	23+	TO220	9280	价格优势/原装现货/客户至上/欢迎广大客户来电查询	询价
深圳市鹏和科技有限公司	IRF634A	FAIRCHILD	24+	TO-220	5000	全现原装公司现货	询价
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深圳市莱克讯科技有限公司	IRF634A	FSC	1923+	TO-220	6896	原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货	询价
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更多IRF634A供应商更新时间2025-7-25 14:07:00

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