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IRFI634B中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

IRFI634B
厂商型号

IRFI634B

功能描述

250V N-Channel MOSFET

文件大小

649.97 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-24 22:59:00

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IRFI634B规格书详情

General Description

These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar, DMOS technology.

This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency switching DC/DC converter and switch mode power supplies.

Features

• 8.1A, 250V, RDS(on) = 0.45Ω @VGS = 10 V

• Low gate charge ( typical 29 nC)

• Low Crss ( typical 20 pF)

• Fast switching

• 100 avalanche tested

• Improved dv/dt capability

产品属性

  • 型号:

    IRFI634B

  • 制造商:

    FAIRCHILD

  • 制造商全称:

    Fairchild Semiconductor

  • 功能描述:

    250V N-Channel MOSFET

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