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IRF630N	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630N	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,9.3A,0.30? Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF630N	文件：173.94 Kbytes Page：2 Pages	PowerMOSFET	TELTokyo Electron Ltd. 东电电子东京电子有限公司	TEL
IRF630N	文件：119.67 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor •DESCRITION •Efficientandreliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance:RDS(on)≤0.3Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableop	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF630N	文件：240.54 Kbytes Page：11 Pages	HEXFETPowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF630N	文件：1.58717 Mbytes Page：2 Pages	FastSwitchingSpeed DESCRIPTION ●DrainCurrent–ID=9.3A@TC=25℃ ●DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ●StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ●FastSwitchingSpeed ●LowDriveRequirement APPLICATIONS ●Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFETdesignedespecially	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF630N	文件：74.59 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor DESCRIPTION ●DrainCurrent–ID=9.3A@TC=25℃ ●DrainSourceVoltage- :VDSS=200V(Min) ●StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=0.3Ω(Max) ●FastSwitchingSpeed ●LowDriveRequirement APPLICATIONS ●Thisdeviceisn-channel,enhancementmode,powerMOSFETdesignedespecially	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
IRF630N	文件：339.05 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF630NL	文件：155.06 Kbytes Page：11 Pages	PowerMOSFET(Vdss=200V,Rds(on)=0.30ohm,Id=9.3A) Description FifthGenerationHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknow	IRF International Rectifier	IRF
IRF630NL	文件：209.86 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs200V,9.3A,0.30? Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.200Ω(Typ),VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE®andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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详细参数

型号：
IRF630F
制造商：
ISC
制造商全称：
Inchange Semiconductor Company Limited
功能描述：
N-channel mosfet transistor

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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京海半导体(深圳)有限公司	IRF630F	ST/意法半导体	21+	TO-220F	10000	原装现货假一罚十	询价
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更多IRF630F供应商更新时间2025-7-26 9:03:00

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