IRF630中文资料意法半导体数据手册PDF规格书
IRF630规格书详情
描述 Description
This power MOSFET is designed using the company’s consolidated strip layout-based MESH OVERLAY™ process. This technology matches and improves the performances compared with standard parts from various sources.
General features
■ Extremely high dv/dt capability
■ Very low intrinsic capacitances
■ Gate charge minimized
Applications
■ Switching application
产品属性
- 型号：
IRF630
- 功能描述：
MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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