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IRF630中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

IRF630
厂商型号

IRF630

功能描述

N-Channel Power MOSFETs, 12A, 150-200 V

文件大小

177.14 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

Fairchild仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-9-24 15:30:00

IRF630规格书详情

Description

These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power supplies, UPS, AC and DC motor controls, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits.

● Low RDS(on)

● VQS Rated at ±20 V

● Silicon Gate for Fast Switching Speeds

● oss. vos(on), Specified at Elevated Temperature

● Rugged

● Low Drive Requirements

● Ease of Paralleling

产品属性

  • 型号:

    IRF630

  • 功能描述:

    MOSFET N-Ch 200 Volt 10 Amp

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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