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HEXFET짰 Power MOSFET 文件：460.11 Kbytes 页数：9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
Low Gate to Drain Charge to Reduce Switching Losses 文件：236.31 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
Reset Switch for Active Clamp Reset DC-DC converters 文件：305.59 Kbytes 页数：9 Pages | IRF | IRF | ||
HEXFET짰 Power MOSFET 文件：460.11 Kbytes 页数：9 Pages | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
-150V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2Pak 封装 \n优势:\n• 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n• P 通道MOSFET; | Infineon 英飞凌 | Infineon | ||
HEXFET Power MOSFET | Infineon 英飞凌 | Infineon |
技术参数
- Package ：
TO-220
- VDS max：
-150.0V
- RDS (on)(@10V) max：
150.0mΩ
- RDS (on) max：
150.0mΩ
- Polarity ：
P
- ID (@ TC=25°C) max：
-27.0A
- ID (@ TC=100°C) max：
-19.0A
- ID max：
-19.0A
- Ptot max：
250.0W
- QG ：
21.0nC
- RthJC max：
0.61K/W
- Mounting ：
THT
- Qgd ：
32.0nC
- Tj max：
175.0°C
- VGS max：
20.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
询价 | ||
IR |
2015+ |
TO-220AB |
12500 |
全新原装,现货库存长期供应 |
询价 | ||
IR |
06+ |
TO-220 |
5000 |
原装库存 |
询价 | ||
IR |
24+ |
原厂封装 |
816 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-263 |
6980 |
原装现货,可开13%税票 |
询价 | ||
MOT |
23+ |
DIP-16 |
6500 |
全新原装假一赔十 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
询价 | ||
IR/VISHAY |
20+ |
TO-220AB |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
65230 |
询价 | ||||
IR |
23+ |
TO-220 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
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更新时间2025-10-4 13:00:00
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