IRF620中文资料新泽西半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF620
功能描述	Power MOSFET
文件大小	107.31 Kbytes
页面数量	2 页
生产厂商	New Jersey Semi-Conductor Products, Inc.
企业简称	NJSEMI【新泽西半导体】
中文名称	新泽西半导体产品股份有限公司官网
原厂标识
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更新时间	2025-6-29 8:23:00
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IRF620规格书详情

The TO-220AB package is universally preferred for all commercial-industrial applications at power dissipation levels to approximately 50 W. The low thermal resistance and low package cost of the TO-220AB contribute to its wide acceptance throughout the industry.

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

产品属性

型号：
IRF620
功能描述：
MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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