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厂商型号

IRF6150

功能描述

HEXFET Power MOSFET

文件大小

118.16 Kbytes

页面数量

3

生产厂商

IRF

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数据手册

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更新时间

2025-12-22 23:01:00

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IRF6150规格书详情

描述 Description

True chip-scale packaging is available from International Rectifier. Through the use of advanced processing techniques and a unique packaging concept, extremely low on-resistance and the highest power densities in the industry have been made available for battery and load management applications. These benefits, combined with the ruggedized device design that International Rectifier is well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device.

● Ultra Low RSS(on) per Footprint Area

● Low Thermal Resistance

● Bi-Directional P-Channel Switch

● Super Low Profile (<.8mm)

● Available Tested on Tape & Reel

产品属性

  • 型号:

    IRF6150

  • 功能描述:

    MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列:

    HEXFET®

  • 产品目录绘图:

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装:

    1

  • 系列:

    - FET

  • 型:

    2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    - 功率 -

  • 最大:

    1.4W

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装:

    PowerPAK? SO-8

  • 包装:

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面:

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称:

    SI7948DP-T1-GE3DKR

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
24+
NA/
6070
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