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IRFI610B	文件：660.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS610A	文件：257.8 Kbytes Page：7 Pages	AdvencedPowerMOSFET(N-CHANNEL) FEATURES ■AvalancheRuggedTechnology ■RuggedGateOxideTechnology ■LowerInputCapacitance ■ImprovedGateCharge ■ExtendedSafeOperatingArea ■LowerLeakageCurrent:10μA(Max.)@VDS=200V ■LowRDS(ON):1.169Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFS610A	文件：59 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconNPNPowerTransistor DESCRIPTION •Designedforuseinswitchmodepowersuppliesandgeneralpurposeapplications. FEATURES •AvalancheRuggedTechnology •RuggedGateOxideTechnology •LowerInputCapacitance •ImprovedGateCharge •ExtendedSafeOperatingArea	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS610B	文件：866.99 Kbytes Page：10 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Features •3.3A,200V,RDS(on)=1.5Ω@VGS=10V •Lowgatecharge(typical7.2nC) •LowCrss(typical6.8pF) •Fastswitch	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRFW610B	文件：660.84 Kbytes Page：9 Pages	200VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planar,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwithstandhi	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL610	文件：235.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.046Ω ID=3.3A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):1.185Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL610A	文件：235.22 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=0.046Ω ID=3.3A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):1.185Ω(Typ.)	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRL610A	文件：280.18 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRLI610A	文件：237.77 Kbytes Page：7 Pages	AdvancedPowerMOSFET BVDSS=200V RDS(on)=1.5Ω ID=3.3A FEATURES ♦AvalancheRuggedTechnology ♦RuggedGateOxideTechnology ♦LowerInputCapacitance ♦ImprovedGateCharge ♦ExtendedSafeOperatingArea ♦150°COperatingTemperature ♦LowerLeakageCurrent:10µA(Max.)@VDS=200V ♦LowerRDS(ON):	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRLI610A	文件：274.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市河锋鑫科技有限公司	IRF610其他被动元件	IR	17+	TO-220AB	31518	原装正品可含税交易	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRF610其他被动元件	IR	24+	TO 220	161019	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市安富世纪电子有限公司	IRF610其他被动元件	IR	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市威尔健半导体有限公司	IRF610其他被动元件	IR	23+	TO-220	50000	全新原装正品现货,支持订货	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRF611	IR	05+	原厂原装	5938	只做全新原装真实现货供应	询价
齐创科技(上海,北京,青岛)有限公司	IRF611	HARRIS	23+	DIP16	5000	原装正品,假一罚十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRF611	FAIRCHILD	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价
上海意淼电子科技有限公司	IRF611	SAM	23+	NA	3500	全新原装假一赔十	询价
京海半导体(深圳)有限公司	IRF611	SEC	21+	TO-220	10000	原装现货假一罚十	询价
深圳市恒达亿科技有限公司	IRF611	SAM	25+	QFP	3200	全新原装、诚信经营、公司现货销售	询价

更多IRF610其他被动元件供应商更新时间2025-7-28 14:01:00

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