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IRF540I	文件：1.15947 Mbytes Page：4 Pages	N -Channel Power MOSFET (100V/27A) GENERALDESCRIPTION ItusesadvancedtrenchtechnologyanddesigntoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge. Thisdeviceissuitableforhighcurrentloadapplications. FEATURE ●Highcurrentrating ●UltralowerRDS(on) ●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS ●Excellentpack	FS First Silicon Co., Ltd	FS
IRF540N	文件：126.21 Kbytes Page：10 Pages	33A,100V,0.040Ohm,N-ChannelPowerMOSFET Features 1.UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040Ω,VGS=10V 2.SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER©ElectricalModels -SpiceandSABER©ThermalImpedanceModels 3.PeakCurrentvsPulseWidthCurve 4.UISRatingCurve	Intersil Intersil Corporation	Intersil
IRF540N	文件：99.87 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=44mohm,Id=33A) Description AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,pr	IRF International Rectifier	IRF
IRF540N	文件：237.2 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMosfetTransistor •DESCRITION •reliabledeviceforuseinawidevarietyofapplications •FEATURES •Staticdrain-sourceon-resistance: RDS(on)≤0.044Ω •Enhancementmode •FastSwitchingSpeed •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperat	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540N	文件：734.11 Kbytes Page：8 Pages	AdvancedProcessTechnology VDSS=100V RDS(on)=44mΩ ID=33A Description TheTO-220packageisuniversallypreferredforallcommercial-industrialapplicationsatpowerdissipationlevelstoapproximately50watts.ThelowthermalresistanceandlowpackagecostoftheTO-220contributetoitswideacceptancethrougho	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRF540N	文件：2.43533 Mbytes Page：31 Pages	SEMICONDUCTORS	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF540N	文件：138.17 Kbytes Page：10 Pages	33A,100V,0.040Ohm,N-Channel,PowerMOSFET Features •UltraLowOn-Resistance -rDS(ON)=0.040Ω,VGS=10V •SimulationModels -TemperatureCompensatedPSPICE™andSABER ElectricalModels -SpiceandSABER ThermalImpedanceModels -www.fairchildsemi.com •PeakCurrentvsPulseWidthCurve •UISRatingCurve	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF540N	文件：338.1 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF540NL	文件：125.07 Kbytes Page：10 Pages	PowerMOSFET(Vdss=100V,Rds(on)=44mohm,Id=33A) AdvancedHEXFET®PowerMOSFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETpowerMOSFETsarewellknownfor,providesthede	IRF International Rectifier	IRF
IRF540NL	文件：274.28 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET짰PowerMOSFET	IRF International Rectifier	IRF

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