首页 >IRF532>规格书列表

型号下载 订购功能描述制造商 上传企业LOGO

IRF532FI

N CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

文件:187.75 Kbytes 页数:3 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

IRF532R

(IRF530 - IRF533) N-Channel Power MOSFETs Avalanche Energy Rated

Renesas

瑞萨

技术参数

  • Minimum Operating Temperature:

    -55°C

  • Maximum Power Dissipation:

    79000mW

  • Maximum Operating Temperature:

    150°C

  • Maximum Gate Source Voltage:

    ±20V

  • Maximum Drain Source Voltage:

    100V

  • Maximum Continuous Drain Current:

    12A

  • Configuration:

    Single

  • Channel Type:

    N

  • Channel Mode:

    Enhancement

  • Category:

    Power MOSFET

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
SAMSUNG
24+/25+
650
原装正品现货库存价优
询价
HARRIS
17+
TO-220
6200
询价
MOT
23+
QFP
5000
原装正品,假一罚十
询价
SAMSUNG
06+
原厂原装
4684
只做全新原装真实现货供应
询价
HARRIS
6
全新原装 货期两周
询价
HARRIS
23+
TO-220
10000
专做原装正品,假一罚百!
询价
HAR
2447
TO-220
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
询价
IR
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
三星
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
询价
IR
21+
TO220
10000
原装现货假一罚十
询价
更多IRF532供应商 更新时间2025-12-1 14:30:00