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IRF5305PBF	文件：723.45 Kbytes Page：8 Pages	丝印：IRF5305；Package：TO-220；-60V P-Channel MOSFET Features * VDS (V) = -60V * ID = -31A (VGS = -10V) * RDS(ON) 文件：723.45 Kbytes 页数：8 Pages	UMW 友台半导体	UMW
IRF5305PBF	文件：179.17 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET 文件：179.17 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF5305PBF_15	文件：188.38 Kbytes Page：9 Pages	Advanced Process Technology 文件：188.38 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF5305S	文件：171.24 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=-55V, Rds(on)=0.06ohm, Id=-31A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, 文件：171.24 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF5305S	文件：706.19 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology 文件：706.19 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF5305S	文件：297.21 Kbytes Page：2 Pages	isc P-Channel MOSFET Transistor 文件：297.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC

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