IRF530中文资料意法半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	IRF530
功能描述	N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR
文件大小	47.74 Kbytes
页面数量	3 页
生产厂商	STMicroelectronics
企业简称	STMICROELECTRONICS【意法半导体】
中文名称	意法半导体集团官网
原厂标识
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更新时间	2025-7-1 16:25:00
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IRF530规格书详情

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

N - channel enhancement mode POWER MOS field effect transistors. Easy drive and very fast switching times make these POWER MOS transistors ideal for high speed switching applications. Applications include DC/DC converters, UPS battery chargers, secondary regulators, servo control, power-audio amplifiers and robotics.

• 80-100 VOLTS - FOR DC/DC CONVERTERS

• HIGH CURRENT

• ULTRA FAST SWITCHING

• EASY DRIVE-FOR REDUCED COST AND SIZE

INDUSTRIAL APPLICATIONS:

• UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES

• MOTOR CONTROLS

产品属性

型号：
IRF530
功能描述：
MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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