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IRF40H233XTMA1中文资料TRENCH <= 40V数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRF40H233XTMA1 |
| 参数属性 | IRF40H233XTMA1 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：TRENCH \u003c= 40V |
| 功能描述 | TRENCH <= 40V |
| 封装外壳 | 8-PowerTDFN |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-12-13 20:00:00 |
| 人工找货 | IRF40H233XTMA1价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRF40H233XTMA1规格书详情
简介
IRF40H233XTMA1属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由Infineon制造生产的IRF40H233XTMA1晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 产品编号：
IRF40H233XTMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- FET 类型：
2 N-通道（双）
- FET 功能：
标准
- 漏源电压（Vdss）：
40V
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN
- 供应商器件封装：
PG-TDSON-8-900
- 描述：
TRENCH \u003c= 40V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
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