IRF40H233数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列规格书PDF
| 厂商型号 |
IRF40H233 |
| 参数属性 | IRF40H233 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列；产品描述：TRENCH \u003c= 40V |
| 功能描述 | 12V-300V N-Channel Power MOSFET |
| 封装外壳 | 8-PowerTDFN |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-12 9:12:00 |
| 人工找货 | IRF40H233价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRF40H233规格书详情
简介
IRF40H233属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-阵列。由制造生产的IRF40H233晶体管 - FET，MOSFET - 阵列场效应晶体管 (FET) 是使用电场控制电流流动的电子器件。向栅极端子施加电压会改变漏极端子和源极端子之间的电导率。FET 也称为单极型晶体管，因为其涉及单载流子类型的操作。也就是说，FET 在操作中使用电子或空穴作为载流子，而不是同时使用两者。场效应晶体管通常在低频下显示出极高的输入阻抗。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRF40H233
- 生产厂家
：Infineon
- OPN
：IRF40H233XTMA1
- Qualification
：Non-Automotive
- Package name
：DUAL PQFN 5X6 8L
- VDS max
：40 V
- RDS (on) @10V max
：6.2 mΩ
- Polarity
：N+N
- Operating Temperature min
：-55 °C
- Operating Temperature max
：175 °C
- VGS(th) max
：20 V
- Technology
：StrongIRFET™
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TDSON-8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TDSON-8-4 |
10613 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TDSON-8 |
60000 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TDSON-8-4 |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2025+ |
PG-TDSON-8-4 |
8000 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TDSON-8 |
7000 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
TDSON-8 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
23+ |
PG-TDSON-8-4 |
12700 |
买原装认准中赛美 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
2023+ |
PG-TDSON-8-4 |
6000 |
原装正品现货、支持第三方检验、终端BOM表可配单提供 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
- |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
