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IRF3710PBF

HEXFET Power MOSFET

VDSS = 100V RDS(on) = 23mΩ ID = 57A Description Advanced HEXFETÆ Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device desig

文件:185.06 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF3710PBF

57A,100V Heatsink Planar N-Channel Power MOSFET

文件:1.6614 Mbytes 页数:7 Pages

THINKISEMI

思祁半导体

IRF3710PBF_15

Advanced Process Technology

文件:224.46 Kbytes 页数:8 Pages

IRF

IRF3710PBF

场效应管

HXY MOSFET

华轩阳电子

技术参数

  • ID/A:

    60

  • VDS/V:

    100

  • RDS(on)/mΩ:

    14

  • VGS/V:

    20

  • VGS(th)/V:

    2-4

  • N/P:

    N

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR
24+
TO-220
6050
原装现货,可开13%税票
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保证进口原装现货假一赔十
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TO-220
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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TO-220
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全新原装正品 现货库存 价格优势
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十年信誉,只做原装,有挂就有现货!
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20年老字号,原装优势长期供货
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INFINEON/英飞凌全新特价IRF3710PBF即刻询购立享优惠#长期有货
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更多IRF3710P供应商 更新时间2025-12-26 14:01:00