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IRF341	文件：154.43 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 10A, 350V/400V 文件：154.43 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
IRF341	文件：211.69 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFETS N-Channel Power MOSFETs 文件：211.69 Kbytes 页数：5 Pages	Samsung 三星	Samsung
IRF341	文件：47.83 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor 文件：47.83 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRF341	文件：345.62 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel Power MOSFETs 文件：345.62 Kbytes 页数：5 Pages	ARTSCHIP	ARTSCHIP
IRF341	文件：300 bytes Page：1 Pages	Trans MOSFET N-CH 350V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-3	NJS	NJS
IRF3415	文件：94.53 Kbytes Page：8 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：94.53 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF3415L	文件：156.56 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：156.56 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF3415L	文件：167.38 Kbytes Page：11 Pages	Advanced Process Technology Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：167.38 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF3415PBF	文件：199.83 Kbytes Page：8 Pages	HEXFET Power MOSFET Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：199.83 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRF3415S	文件：156.56 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.042ohm, Id=43A) Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provide 文件：156.56 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF

技术参数

Maximum Power Dissipation：
125000mW
Maximum Drain Source Voltage：
350V
Maximum Continuous Drain Current：
10A
Configuration：
Single
Channel Type：
N
Category：
Power MOSFET

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更多IRF341供应商更新时间2025-12-12 16:30:00

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