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IRF3315S	文件：197.25 Kbytes Page：10 Pages	Power MOSFET(Vdss=150V, Rds(on)=0.082ohm, Id=21A) Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315S	文件：189.07 Kbytes Page：2 Pages	丝印：D2PAK；Package：TO-263；Isc N-Channel MOSFET Transistor •FEATURES •WithTo-263(D2PAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdeviceperformanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF3315S	文件：300 bytes Page：1 Pages	150V 单个 N 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用 D2-Pak 封装; \n优势:\n \n • 符合 RoHS\n• 低 RDS(on)\n• 具有业内先进的品质\n• 动态的dv/dt额定值\n• 快速开关\n• 完全雪崩额定值\n• 175°C 的工作温度\n;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRF3315SPBF	文件：386.58 Kbytes Page：10 Pages	HEXFET Power MOSFET Description FifthGenerationHEXFETsfromInternationalRectifierutilizeadvancedprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Thisbenefit,combinedwiththefastswitchingspeedandruggedizeddevicedesignthatHEXFETPowerMOSFETsarewellknownfor,provide	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF
IRF3315SPBF_15	文件：391.31 Kbytes Page：11 Pages	ADVANCED PROCESS TECHNOLOGY	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

Package ：
D2PAK (TO-263)
VDS max：
150.0V
RDS (on)(@10V) max：
82.0mΩ
RDS (on) max：
82.0mΩ
Polarity ：
N
ID (@ TC=100°C) max：
15.0A
ID max：
15.0A
ID (@ TC=25°C) max：
21.0A
Ptot max：
94.0W
QG ：
63.3nC
Mounting ：
SMD
Qgd ：
31.3nC
Tj max：
175.0°C
Moisture Sensitivity Level ：
1
RthJC max：
1.6K/W
VGS max：
20.0V

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