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IRF1404SL	文件：300 bytes Page：1 Pages	HEXFET® Power MOSFET Description\nSeventh Generation HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well know	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

OPN：
IRF1404STRLPBF
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
D2PAK
VDS max：
40 V
RDS (on) @10V max：
4 mΩ
ID @25°C max：
162 A
QG typ @10V：
160 nC
Special Features：
Wide SOA
Polarity：
N
VGS(th) min：
2 V
VGS(th) max：
4 V
VGS(th)：
3 V
Technology：
IR MOSFET™

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更多IRF1404S供应商更新时间2025-12-2 12:00:00

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