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IRF130-133	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel Power MOSFETs, 20 A, 60-100 V Description These devices are n-channel, enhancement mode, power MOSFETs designed especially for high power, high speed applications, such as switching power, supplies, UPS, AC and DC motor control, relay and solenoid drivers and high energy pulse circuits. ● Low RDS(on) ● VGS Rated at ±20 V ● 文件：180.59 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF1302	文件：523.539 Kbytes Page：9 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=180A?? Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFET utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast 文件：523.539 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRF1302L	文件：229.09 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A?? Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFET utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast 文件：229.09 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1302S	文件：229.09 Kbytes Page：11 Pages	Power MOSFET(Vdss=20V, Rds(on)=4.0mohm, Id=174A?? Description Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFET utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast 文件：229.09 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRF1302PBF	文件：165.37 Kbytes Page：10 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET ( VDSS = 20V , RDS(on) = 4.0m廓 , ID = 180A ) 文件：165.37 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRF130SMD	文件：22.69 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNEL POWER MOSFET FOR HI.REL APPLICATIONS 文件：22.69 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF130SMD05N	文件：29.81 Kbytes Page：2 Pages	N?밅HANNEL POWER MOSFET FOR HI?밨EL APPLICATIONS 文件：29.81 Kbytes 页数：2 Pages	SEME-LAB Seme LAB	SEME-LAB
IRF1302L	文件：300 bytes Page：1 Pages	AUTOMOTIVE MOSFET Description\nSpecifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFET utilizes the lastest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast sw	Infineon 英飞凌	Infineon

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详细参数

型号：
IRF130
制造商：
International Rectifier
功能描述：
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-3
功能描述：
TRANS MOSFET N-CH 100V 14A 2PIN TO-204AA - Bulk
功能描述：
N CH MOSFET 100V 14A TO-204AA
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 14A, TO-204AA
功能描述：
N CH MOSFET, 100V, 14A, TO-204AA; Transistor
Polarity：
N Channel; Continuous Drain Current
Id：
14A; Drain Source Voltage
Vds：
100V; On Resistance
Rds(on)：
180mohm; Rds(on) Test Voltage
Vgs：
10V; Threshold Voltage Vgs
Typ：
4V; No. of
Pins：
2;RoHS
Compliant：
No

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