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IRFR1010ZPBF	文件：4.35518 Mbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010ZPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
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IRFR1010ZTRL	文件：4.51535 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR1010ZTRLPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010ZTRPBF	文件：334.4 Kbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRFR1010ZTRR	文件：4.60477 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFRSLASHU1010Z	文件：4.28522 Mbytes Page：11 Pages	AdvancedProcessTechnology Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprovedrepetiti	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFU1010Z	文件：292.8 Kbytes Page：11 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimp	IRF International Rectifier	IRF

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详细参数

型号：
IRF1010EZSTRLP
功能描述：
MOSFET MOSFT 60V 84A 8.5mOhm 58nC
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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