HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2302(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTT

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HALF-BRIDGE DRIVER

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Infineon

英飞凌

Gate drive supply range from 5 to 20V

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HALF-BRIDGE DRIVER

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600 V half-bridge gate driver IC with shutdown

600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 8 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 SOIC 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：5 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 输入逻辑兼容\n• 防止交叉传导逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 高边输出与 IN 输入同相\n• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移\n• 内部死区时间为 540ns\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 关断输入将关闭两个通道\n• 也有无铅(PbF)的 8 引脚 SOIC 封装可选\n\n优势:;

Infineon

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Package：8-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8DIP

Infineon

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HALF-BRIDGE DRIVER

Description The IR2302(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with dependent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LSTT

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