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IR2302S	文件：205.29 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2302S	文件：214.81 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2302S	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2302SPbF	文件：205.29 Kbytes Page：22 Pages	HALF-BRIDGE DRIVER Description TheIR2302(S)arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthighandlowsidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOSorLSTT	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2302STRPBF	文件：212.75 Kbytes Page：22 Pages	Gate drive supply range from 5 to 20V	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IR2302SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IR2302STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
2302	文件：76.13 Kbytes Page：2 Pages	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz GENERALDESCRIPTION The2302isaCOMMONBASEtransistorcapableofproviding2WattsClassC,RFoutputpowerat2300MHz.Goldmetalizationanddiffusedballastingareusedtoprovidehighreliabilityandsupremeruggedness.ThetransistorusesafullyhermeticHighTemperatureSolderSealedpa	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
2302	文件：78.97 Kbytes Page：2 Pages	2.0Watt-20Volts,ClassCMicrowave2300MHz	GHZTECHGHz Technology GHz Technology
2302	文件：110.94 Kbytes Page：4 Pages	P-CHANNELMOSFETN-CHANNELMOSFET	KIAGuangdong Keyia Semiconductor Technology Co., Ltd 可易亚半导体广东可易亚半导体科技有限公司
2302	文件：310.86 Kbytes Page：2 Pages	20VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2302	文件：116.22 Kbytes Page：1 Pages	NylonHoseClamps	Heyco Heyco
2302B	文件：256.75 Kbytes Page：3 Pages	30VN-ChannelEnhancementMOSFET	FUMANSHENZHEN FUMAN ELECTRONICS CO., LTD. 富满微电子深圳市富满微电子集团股份有限公司
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductorsHorizontalorverticalmount	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
2302-RC	文件：112.13 Kbytes Page：1 Pages	HighCurrentToroidInductors	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
ACE2302	文件：428.93 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.
ACE2302	文件：205.72 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	ACE ACE Technology Co., LTD.

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产品属性

产品编号：
IR2302S
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
半桥
通道类型：
同步
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
130ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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