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IR2301S	文件：187.91 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2301(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS 文件：187.91 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2301S	文件：193.49 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER 文件：193.49 Kbytes 页数：18 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2301SPbF	文件：187.91 Kbytes Page：18 Pages	HIGH AND LOW SIDE DRIVER Description The IR2301(S) are high voltage, high speed power MOSFET and IGBT drivers with independent high and low side referenced output channels. Proprietary HVIC and latch immune CMOS technologies enable ruggedized monolithic construction. The logic input is compatible with standard CMOS or LS 文件：187.91 Kbytes 页数：18 Pages	IRF	IRF
IR2301S	文件：300 bytes Page：1 Pages	600 V high-side and low-side gate driver IC 600 V High and Low Side Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 5 to 20 V\n• Undervoltage lockout for both channels\n• 3.3 V, 5 V and 15 V input logic compatible\n• Matched propagation delay for;	Infineon 英飞凌	Infineon
IR2301SPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2301STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2301STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON

技术参数

Product Status：
active/active
Voltage Class：
600 V
Output Current Source min：
0.12 A
Output Current Source：
0.2 A
Output Current Sink min：
0.25 A
Output Current Sink：
0.35 A
Channels：
2
Configuration：
High-side and low-side
Qualification：
Industrial
Isolation Type：
Functional levelshift
Switch Type：
MOSFET
Package name：
SOIC 8N/SOIC 8N
UVLO Input Off：
3.8 V
UVLO Output Off：
3.8 V
Turn On Propagation Delay max：
300 ns
Turn On Propagation Delay：
220 ns
Turn Off Propagation Delay max：
280 ns
Turn Off Propagation Delay：
200 ns
Input Vcc min：
5 V
Input Vcc max：
20 V
Output Vbs min：
5 V
Output Vbs max：
20 V
Rise Time max：
220 ns
Rise Time：
130 ns
Fall Time max：
80 ns
Fall Time：
50 ns
UVLO Input On：
4.1 V
UVLO Output On：
4.1 V

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更多IR2301S供应商更新时间2026-1-22 16:23:00

技术参数

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