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IR2301STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IR2301STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IRS2301	文件：396.49 Kbytes Page：15 Pages	Floatingchanneldesignedforbootstrapoperation	IRF International Rectifier	IRF
IRS2301PBF	文件：554.51 Kbytes Page：25 Pages	HALF-BRIDGEDRIVER Description TheIRS2108/IRS21084arehighvoltage,highspeedpowerMOSFETandIGBTdriverswithdependenthigh-andlow-sidereferencedoutputchannels.ProprietaryHVICandlatchimmuneCMOStechnologiesenableruggedizedmonolithicconstruction.ThelogicinputiscompatiblewithstandardCMOS	IRF International Rectifier	IRF
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IRS2301S	文件：325.58 Kbytes Page：15 Pages	HIGHANDLOWSIDEDRIVER	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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产品属性

产品编号：
IR2301STR
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
130ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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