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IR2301STR	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IR2301STRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC	INFINEON 英飞凌	INFINEON
LMX2301	文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes 页数：14 Pages	NSC 国半	NSC
LMX2301TMX	文件：225.65 Kbytes Page：14 Pages	PLLatinumTM 160 MHz Frequency Synthesizer for RF Personal Communications 文件：225.65 Kbytes 页数：14 Pages	NSC 国半	NSC
NTE2301	文件：22.14 Kbytes Page：2 Pages	Silicon NPN Transistor High Voltage Horizontal Output Description: The NTE2301 is a silicon NPN power transistor in a TO218 type package designed for use in large screen deflection circuits. Features: • Collector–Emitter Voltage: VCEX = 1500V • Glassivated Base–Collector Junction • Safe Operating Area @ 50µs = 20A, 400V • Switchin 文件：22.14 Kbytes 页数：2 Pages	NTE	NTE

产品属性

产品编号：
IR2301STR
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
高压侧或低压侧
通道类型：
独立式
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
5V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2.9V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
200mA，350mA
输入类型：
非反相
上升/下降时间（典型值）：
130ns，50ns
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
8-SOIC
描述：
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC

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