600 V half-bridge gate driver IC with shoot through protection

600 V 半桥驱动器 IC，具有典型的 1.9 A 拉电流和 2.3 A 灌电流，采用 8 引脚 SOIC 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 8 引脚 PDIP、14 引脚 SOIC 和 14 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V 和 5 V 输入逻辑兼容\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 输出拉/灌电流能力为 1.4A/1.8A\n\n优势:;

Infineon

英飞凌

Package：14-DIP（0.300"，7.62mm）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DIP

Infineon

英飞凌

Package：14-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR） 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14SOIC

Infineon

英飞凌