IR2109(4) (S) & (PbF) HALF-BRIDGE DRIVER

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IRF

HALF-BRIDGE DRIVER

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INFINEON

英飞凌

Gate drive supply range from 10 to 20V

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IRF

Gate drive supply range from 10 to 20V

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IRF

HALF-BRIDGE DRIVER

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INFINEON

英飞凌

IR2109(4) (S) & (PBF) HALF-BRIDGE DRIVER

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IRF

600 V half-bridge gate driver IC with shutdown and programmable deadtime

600 V Half Bridge Driver IC with typical 0.2 A source and 0.35 A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP. • Floating channel designed for bootstrap operation\n• Fully operational to +600 V\n• Tolerant to negative transient voltage\n• dV/dt immune\n• Gate drive supply range from 10 to 20 V\n• Undervoltage lockout for both channels\n• 3.3 V, 5 V, and 15 V logic input compatible\n• Cross-conduction prevent;

Infineon

英飞凌

600 V 半桥栅极驱动器 IC，具有关断和可编程死区时间

600 V 半桥驱动器 IC,具有典型的 0.2 A 拉电流和 0.35 A 灌电流，采用 14 引脚 PDIP 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。也有 14 引脚 SOIC、8 引脚 SOIC 和 8 引脚 PDIP 封装可选。 • 专为自举操作设计的浮动通道\n• 完全运行时的电压高达 600V\n• 容许负瞬态电压高\n• 不受 dV/dt 影响\n• 栅极驱动供电电压范围：10 至 20V\n• 双通道欠压锁定\n• 3.3V、5V 和 15V 逻辑输入兼容\n• 防止交叉传导逻辑\n• 双通道的匹配传播延迟\n• 高边输出与 IN 输入同相\n• 逻辑和电源接地 + /- 5 V 偏移\n• 内部死区时间为 540ns ，使用一个外部 RDT 电阻可编程一个数值高达 5μs 的死区时间\n• 较低的 di/dt 栅极驱动器可获得更好的抗噪声性\n• 关断输入将关闭两个通道\n\n优势:;

Infineon

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：散装 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

INFINEON

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Package：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：管件 类别：集成电路（IC） 栅极驱动器 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

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