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IPZ60R041P6

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.55862 Mbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

IPZ60R041P6

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

英飞凌 CoolMOS ™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率,同时易于设计。CoolMOS ™ P6 缩小了专注于提供终极性能的技术与更注重易用性的技术之间的差距。 • 降低栅极电荷 (Q g)\n• 提高 V th\n• 良好的体二极管耐用性\n• 优化的集成 R g\n• 从 50V/ns 开始改善 dv/dt\n• CoolMOS ™品质,拥有超过 12 年的超结技术制造经验;

Infineon

英飞凌

IPZ60R041P6_15

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.55862 Mbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

IIPW60R041P6

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.87 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPW60R041P6

N-Channel MOSFET Transistor

文件:335.87 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

IPW60R041P6

600V CoolMOS™ P6 Power Transistor

文件:1.93867 Mbytes 页数:15 Pages

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • ID max:

    77.5 A

  • IDpulsmax:

    267 A

  • Ptotmax:

    481 W

  • QG:

    170 nC

  • QG(typ @10V):

    170 nC

  • RDS (on)max:

    41 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max:

    41 mΩ

  • RthJAmax:

    62 K/W

  • RthJCmax:

    0.26 K/W

  • Rth:

    0.26 K/W

  • VDSmax:

    600 V

  • VGS(th):

    3.5 V to 4.5 V

  • Mounting:

    THT

  • Package:

    TO-247

  • Operating Temperature:

    -55 °C to 150 °C

  • Pin Count:

    4 Pins

  • Polarity:

    N

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更多IPZ60R041P6供应商 更新时间2026-1-29 17:02:00