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IPZ60R041P6中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPZ60R041P6

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 20:00:00

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IPZ60R041P6规格书详情

描述 Description

英飞凌 CoolMOS ™ P6 超结 MOSFET 系列旨在实现更高的系统效率,同时易于设计。CoolMOS ™ P6 缩小了专注于提供终极性能的技术与更注重易用性的技术之间的差距。

特性 Features

• 降低栅极电荷 (Q g)
• 提高 V th
• 良好的体二极管耐用性
• 优化的集成 R g
• 从 50V/ns 开始改善 dv/dt
• CoolMOS ™品质,拥有超过 12 年的超结技术制造经验

技术参数

  • 制造商编号

    :IPZ60R041P6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ID max

    :77.5 A

  • IDpulsmax

    :267 A

  • Ptotmax

    :481 W

  • QG

    :170 nC

  • QG(typ @10V)

    :170 nC

  • RDS (on)max

    :41 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :41 mΩ

  • RthJAmax

    :62 K/W

  • RthJCmax

    :0.26 K/W

  • Rth

    :0.26 K/W

  • VDSmax

    :600 V

  • VGS(th)

    :3.5 V to 4.5 V

  • Mounting

    :THT

  • Package

    :TO-247

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Pin Count

    :4 Pins

  • Polarity

    :N

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