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IPT111N20NFD	文件：300 bytes Page：1 Pages	N 沟道功率 MOSFET 英飞凌的 To-无导线封装针对大电流应用进行优化，例如，叉车、轻型电动车 (LEV)、POL（负载点）和电信。这种封装是高功率应用的理想解决方案，这种场合需要高效率、出色的电磁干扰性能以及出色的热性能和节省的空间。 • 行业内较低的 (RDS(on))\n• 最高电流容量高达 300A\n• 极低的封装寄生效应和电感\n\n优势:\n• 需要较少的并联和冷却\n• 提高系统可靠性\n• 降低系统成本\n• 支持极为紧凑的设计;	Infineon 英飞凌	Infineon
IPT111N20NFD	文件：1.01044 Mbytes Page：10 Pages	OptiMOS짧3 Power-Transistor, 200 V 文件：1.01044 Mbytes 页数：10 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPT210N25NFD	文件：0 bytes Page：0 Pages	HSOF-8	INFINEON 英飞凌上传：深圳市中广亿科技发展有限公司	INFINEON
IPT2601	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-6	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满
IPT2601Q	文件：0 bytes Page：0 Pages	SOT-23-6	FM/富满上传：深圳广友电子有限公司	FM/富满

技术参数

OPN：
IPT111N20NFDATMA1
Qualification：
Non-Automotive
Package name：
TOLL (PG-HSOF-8)
VDS max：
200 V
RDS (on) @10V max：
11.1 mΩ
ID @25°C max：
96 A
QG typ @10V：
65 nC
Special Features：
Fast Diode
Polarity：
N
Operating Temperature min：
-55 °C
Operating Temperature max：
175 °C
Technology：
OptiMOS™ 3 FD

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多IPT111N20NFD供应商更新时间2026-1-24 14:13:00

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