N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES · Drain Current -ID= 69A@ TC=25℃ · Drain Source Voltage -VDSS= 250V(Min) · Static Drain-Source On-Resistance -RDS(on) = 21mΩ(Max)@VGS= 10V APPLICATIONS · Switch Mode Power Supply (SMPS) · Uninterruptible Power Supply (UPS) · Power Factor Correction (PFC)

文件：367.37 Kbytes 页数：3 Pages

ISC

无锡固电

OptiMOS짧3 Power-Transistor, 250 V

文件：1.00577 Mbytes 页数：10 Pages

INFINEON

英飞凌

N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 To-无导线封装针对大电流应用进行优化，例如，叉车、轻型电动车 (LEV)、POL（负载点）和电信。这种封装是高功率应用的理想解决方案，这种场合需要高效率、出色的电磁干扰性能以及出色的热性能和节省的空间。 • 行业内较低的 (RDS(on))\n• 最高电流容量高达 300A\n• 极低的封装寄生效应和电感\n\n优势:\n• 需要较少的并联和冷却\n• 提高系统可靠性\n• 降低系统成本\n• 支持极为紧凑的设计;

Infineon

英飞凌

HSOF-8

INFINEON

英飞凌

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SOT-23-6

FM/富满

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