丝印：012N08N5；Package：PG-HSOF-8-1；N-channel, normal level

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

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INFINEON

英飞凌

isc N-Channel MOSFET Transistor

DESCRIPTION ·Drain Current –ID=300A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- VDSS= 80V(Min) ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS ·Switching power supplies ·Switching converters,motor driver,relay driver

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ISC

无锡固电

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 80V 采用 TOLL 封装

OptiMOS™ 5 80V 功率 MOSFETs 专为通信和服务器电源中的同步整流而设计。此外，这些器件还可以在其他工业应用中使用，例如太阳能、低压驱动器和适配器。新型OptiMOS™ 5 80V MOSFET 采用七种不同封装，提供了行业内较低 R DS(on)。 • 针对同步整流进行优化\n• 非常适合高开关频率\n• 输出电容降低高达 44%\n• R DS(on)降低高达 44%\n\n优势:\n• 高系统效率\n• 降低开关和通态损耗\n• 减少并联\n• 增加功率密度\n• 低电压过冲;

Infineon

英飞凌

N-channel, normal level

Features •Idealforhighfrequencyswitchingandsync.rec. •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •N-channel,normallevel •100avalanchetested •Pb-freeplating;RoHScompliant •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplications •Halogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

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