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IPT007N06N

N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 To-无导线封装针对大电流应用进行优化,例如,叉车、轻型电动车 (LEV)、POL(负载点)和电信。这种封装是高功率应用的理想解决方案,这种场合需要高效率、出色的电磁干扰性能以及出色的热性能和节省的空间。 • 行业内较低的 (RDS(on))\n• 最高电流容量高达 300A\n• 极低的封装寄生效应和电感\n\n优势:\n• 需要较少的并联和冷却\n• 提高系统可靠性\n• 降低系统成本\n• 支持极为紧凑的设计;

Infineon

英飞凌

IPT007N06N

丝印:007N06N;Package:PG-HSOF-8-1;Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.24321 Mbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

007N06N

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件:1.24321 Mbytes 页数:12 Pages

INFINEON

英飞凌

IPT007N06N

HSOF-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳安亭电子科技有限公司

IPT007N06NATMA1

HSOF-8

INFINEON

英飞凌

上传:深圳市芯巴巴科技有限公司

技术参数

  • OPN:

    IPT007N06NATMA1

  • Qualification:

    Non-Automotive

  • Package name:

    TOLL (PG-HSOF-8)

  • VDS max:

    60 V

  • RDS (on) @10V max:

    0.75 mΩ

  • ID @25°C max:

    486 A

  • QG typ @10V:

    216 nC

  • Polarity:

    N

  • Operating Temperature min:

    -55 °C

  • Operating Temperature max:

    175 °C

  • Technology:

    OptiMOS™ 5

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IPT007N06N供应商 更新时间2026-1-24 14:02:00