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007N06N	文件：1.78904 Mbytes Page：11 Pages	型号：IPTG007N06NM5；Package：PG-HSOG-8-1；OptiMOS™ 5 Power-Transistor, 60 V Features « Nechannel « Superior thermal resistance « 100 avalanche tested « Pb-free lead plating; RoHS compliant « Halogen-free according to IEC61249-221 文件：1.78904 Mbytes 页数：11 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
007N06N	文件：1.24321 Mbytes Page：12 Pages	型号：IPT007N06N；Package：PG-HSOF-8-1；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.24321 Mbytes 页数：12 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司
	文件：1.24321 Mbytes Page：12 Pages	型号：007N06N；Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor 文件：1.24321 Mbytes 页数：12 Pages	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司

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