英飞凌针对高达 75W 的反激式拓扑的解决方案

顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS™ P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于手机充电器或笔记本电脑适配器等低功率 SMPS 市场。客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS™ P7 在诸多方面成为目标应用的最佳选择：\n • 效率和热性能\n• 使用方便\n• 电磁干扰行为 • 极低 FOM R DS(on)x E oss；更低 Q g、E on 和 E off\n• 高性能技术 • 低开关损耗 (E oss)\n• 高效率\n• 优异的热性能\n\n• 支持高速开关\n• 集成保护齐纳二极管\n• V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差\n• 成熟的产品组合\n\n优势:\n• 成本极具竞争力的技术\n• 与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K\n• 更高开关速度实现更高效率增益\n• 更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸\n• 高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平\n• 轻松驱动和设计导入\n• 支持更小的外;

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丝印：70S600P7；Package：PG-TO251-3；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件：927.07 Kbytes 页数：13 Pages

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700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件：871.72 Kbytes 页数：13 Pages

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N-Channel 600-V (D-S) MOSFET

Key Features: •Low rDS(on)trench technology •Low thermal impedance •Fast switching speed

文件：360.62 Kbytes 页数：5 Pages

ANALOGPOWER

700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

700V CoolMOS P7 Power Transistor Potential applications    Recommended for Flyback topologies for example used in Chargers,    Adapters, Lighting Applications, etc.

文件：913.64 Kbytes 页数：13 Pages

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700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

文件：931.5 Kbytes 页数：13 Pages

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