英飞凌对反激式拓扑的解答

700V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET 系列专为满足当今以及特别是未来的反激式拓扑趋势而开发，与当今使用的超结技术相比，它提供了根本性的性能提升，可满足低功耗 SMPS 市场的需求，例如手机充电器或笔记本适配器。通过将客户反馈与 20 多年的超结 MOSFET 经验相结合，700V CoolMOS ™ P7 在以下方面能够最佳地适应目标应用： 效率和热量 易于使用 EMI 行为 • CoolMOS ™ 7 系列\n• 低栅极电荷\n• COSS中的低存储能量\n• 集成栅极电阻\n• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量\n• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™;

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丝印：70S600P7；Package：PG-TO220FullPAK；700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

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700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

Features •ExtremelylowlossesduetoverylowFOMRDS(on)*QgandRDS(on)*Eoss •Excellentthermalbehavior •IntegratedESDprotectiondiode •Lowswitchinglosses(Eoss) •Productvalidationacc.JEDECStandard Benefits •Costcompetitivetechnology •Lowertemperature •HighESDruggedness •Enablesefficiencygainsath

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MOSFET 700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest CoolMOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charg

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700V CoolMOS짧 P7 Power Transistor

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